-
1 ферроэлектрическое ОЗУ
ферроэлектрическое ОЗУ
Тип энергонезависимой памяти, прообразом которой является ОЗУ на магнитных сердечниках. Запоминающая ячейка FRAM выполнена на кристалле сегнетоэлектрика с доменной структурой. Под действием внешнего электрического поля домены в сегнетоэлектрике смещаются и кристалл может находиться в поляризованном состоянии сколь угодно долго. Для изменения его состояния необходимо приложить достаточно сильное поле противоположного направления (коэрцитивное поле). Одно из основных преимуществ FRAM - отсутствие деградации ячеек памяти при многократных циклах перезаписи.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ферроэлектрическое ОЗУ
-
2 ферроэлектрическое ОЗУ
Information technology: ferroelectric RAM, ferroelectric random access memoryУниверсальный русско-английский словарь > ферроэлектрическое ОЗУ
-
3 ферроэлектрическое ОЗУ
Универсальный русско-немецкий словарь > ферроэлектрическое ОЗУ
-
4 ферроэлектрическое ОЗУ
Русско-английский словарь по вычислительной технике и программированию > ферроэлектрическое ОЗУ
См. также в других словарях:
ферроэлектрическое ОЗУ — Тип энергонезависимой памяти, прообразом которой является ОЗУ на магнитных сердечниках. Запоминающая ячейка FRAM выполнена на кристалле сегнетоэлектрика с доменной структурой. Под действием внешнего электрического поля домены в сегнетоэлектрике… … Справочник технического переводчика
